场效应管 SSM6K204FE,KN

大量新到TOSHIBA/东芝贴片小体积低压（20V，30V，60V）MOS/场效应管系列，带二极静电保护。

封装：SOT-323，SOT-23，SOT-416,SOT-563，SOT-723，SOT-883，CST4，UDFN6B，UDFN6,带二极静电保护，用于锂电保护,航模电调，无刷电机，移动

电源，手机等应用，全新原装正品，现货供应，欢迎咨询

SSM6K202FE,TOSHIBA,SOT-563,SMD/MOS,N场,30V,2.3A,0.085Ω
SSM6K203FE,TOSHIBA,SOT-563,SMD/MOS,N场,20V,2.8A,0.061Ω
SSM6K204FE,TOSHIBA,SOT-563,SMD/MOS,N场,20V,2A,0.126Ω
SSM6K211FE,TOSHIBA,SOT-563,SMD/MOS,N场,20V,3.2A,0.047Ω
SSM6K22FE,TOSHIBA,SOT-563,SMD/MOS,N场,20V,1.4A,0.17Ω
SSM6K210FE,TOSHIBA,SOT-563,SMD/MOS,N场,30V,1.4A,0.228Ω
SSM6K24FE,TOSHIBA,SOT-563,SMD/MOS,N场,30V,0.5A,0.145Ω

产品型号:SSM6K204FE TOSHIBA Field-Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type

SSM6K204FE,TOSHIBA,SOT-563,SMD/MOS,N场,20V,2A,0.126Ω，带二极静电保护

封装:SOT-563

品牌：TOSHIBA/东芝

应用:
 * 高速开关应用
 * 电源管理开关应用

特点：
 * 1.5-V驱动器
 * 低导通电阻：Ron = 307 mΩ (max) (@VGS = 1.5V)
             ：Ron = 214 mΩ (max) (@VGS = 1.8V)
             ：Ron = 164 mΩ (max) (@VGS = 2.5V)
             ：Ron = 126 mΩ (max) (@VGS = 4.0V)

源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):20

夹断电压VGS(V):±10

最大漏极电流Id(A):2

源漏极最大导通电阻rDS(on)(Ω):0.126 @VGS = 10 V

开启电压VGS(TH)(V):1

功率PD(W):0.5

输入电容Ciss(PF):195 typ.

通道极性:N沟道

低频跨导gFS(s)：5.2

单脉冲雪崩能量EAS(mJ):

导通延迟时间Td(on)(ns):8 typ.

关断延迟时间Td(off)(ns):9 typ.

温度(℃): -55 ~150

描述:SSM6K204FE,20V,2A,0.126Ω N-沟道增强型场效应晶体管

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