场效应管 2SK4100LS,K4100,2SK4100

地区:广东 深圳
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2SK4100LS,SANYO,TO-220F,DIP/MOS,N场,650V,6A,1.35Ω

2SK4100LS,SANYO,TO-220F,DIP/MOS,N场,650V,6A,1.35Ω

特点
 * 低导通电阻,低输入电容,超高速开关。
 * 高可靠性(通过HVP过程)。
 * 的附件可操作性是由云母包好。
 * 雪崩电阻的保证。

产品型号:2SK4100LS 通用开关设备应用

封装:TO-220F

品牌:SANYO/三洋

源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):650

夹断电压VGS(V):±30

最大漏极电流Id(A):6

源漏极最大导通电阻rDS(on)(Ω):1.35 @VGS = 10 V

开启电压VGS(TH)(V):5

功率PD(W):33

输入电容Ciss(PF):600 typ.

通道极性:N沟道

低频跨导gFS(s):4

单脉冲雪崩能量EAS(mJ):105

导通延迟时间Td(on)(ns):18 typ.

上升时间Tr(ns):41 typ.

关断延迟时间Td(off)(ns):78 typ.

下降时间Tf(ns):28 typ.

温度(℃): -55 ~150

描述:2SK4100LS 650V,6A N-沟道增强型场效应晶体管

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品牌/商标

Sanyo/三洋

型号/规格

2SK4100LS

种类

绝缘栅(MOSFET)

沟道类型

频道

导电方式

增强型

用途

S/开关

封装外形

P-DIT/塑料双列直插

材料

N-FET硅N沟道