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2SK4100LS,SANYO,TO-220F,DIP/MOS,N场,650V,6A,1.35Ω
2SK4100LS,SANYO,TO-220F,DIP/MOS,N场,650V,6A,1.35Ω
特点
* 低导通电阻,低输入电容,超高速开关。
* 高可靠性(通过HVP过程)。
* 的附件可操作性是由云母包好。
* 雪崩电阻的保证。
产品型号:2SK4100LS 通用开关设备应用
封装:TO-220F
品牌:SANYO/三洋
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):650
夹断电压VGS(V):±30
最大漏极电流Id(A):6
源漏极最大导通电阻rDS(on)(Ω):1.35 @VGS = 10 V
开启电压VGS(TH)(V):5
功率PD(W):33
输入电容Ciss(PF):600 typ.
通道极性:N沟道
低频跨导gFS(s):4
单脉冲雪崩能量EAS(mJ):105
导通延迟时间Td(on)(ns):18 typ.
上升时间Tr(ns):41 typ.
关断延迟时间Td(off)(ns):78 typ.
下降时间Tf(ns):28 typ.
温度(℃): -55 ~150
描述:2SK4100LS 650V,6A N-沟道增强型场效应晶体管
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企业Q
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Sanyo/三洋
2SK4100LS
绝缘栅(MOSFET)
频道
增强型
S/开关
P-DIT/塑料双列直插
N-FET硅N沟道