场效应管 STP11NB40,11NB40,P11NB40Z

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MOS管,广泛应用于电池充电器,普通电源,智能开关电源,灯具
(DIP)场效应: 30V-80V:FDP6676、FDU6680、IRLU3103、IRLU7821、ISL9N312AD3、STP55NF06、STP60NF06、STP65NF06、...等 
(DIP)场效应:100V-400V:IRFB4310 2SK1101=2SK2952、FDP3652、FS20KM-5、IRF630、IRFS640B。IRLI3615。STP11NB40ZFP 
               IRFIB7N50APBF、STP19NB20FP 
(DIP)场效应:500V-900V:2SK1010、2SK2101、2SK3505、2SK3683、FS3KM-18A、IRFS830B、SPA06N80C3\...等 
(SMD)场效应:30V-80V:AP60N03、BUK109-50DL、FDD6030BL、FDB8870、FDD8896、IPD06N03LAG、 
 IPD09N03LAG\NTD60N02\NTD70N03、NTD85N02R、PFD3002、PFD3008、
 PFD3010、PFD3014、PFS3000、PFS3010...等
(SMD)场效应:100V-400V:FR220、IRFR15N20、FQD13N10、IRFL110、IRFW740ATM、NTD12N10T4G、SI9420DY等 
(SMD)场效应:500V-900V:AP01N60H、FQD3P50、IRR430B、MTB6N60ET4、MTD1N60ET4等 
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品牌/商标

ST/意法

型号/规格

STP11NB40 ST 02+ TO-220 N场 4.7A 400V

种类

绝缘栅(MOSFET)

沟道类型

N沟道

导电方式

增强型

用途

S/开关

封装外形

P-DIT/塑料双列直插

材料

N-FET硅N沟道

漏极电流

4.7A

控制方式

其他

夹断电压

±30V

低频跨导

6500PF