代理 500V场效应管 KIA20N50 KIA20N50H

产品型号:KIA20N50

封装:TO-247

源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):500

夹断电压VGS(V):±30

最大漏极电流Id(A):20

源漏极最大导通电阻rDS(on)(Ω):0.24 @VGS = 10 V

开启电压VGS(TH)(V):4

功率PD(W):235

极间电容Ciss(PF):4590

通道极性:N沟道

低频跨导gFS(s)：

单脉冲雪崩能量EAS(mJ):1050

温度(℃): -55 ~150

描述:500V,20A N-channel MOSFET

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