原装 场效应管 WFU1N80 1N80 FQU1N80

产品型号:WFU1N80

封装:TO-251

源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):800

夹断电压VGS(V):±30

最大漏极电流Id(A):1.2

源漏极最大导通电阻rDS(on)(Ω):18 @VGS = 10 V

开启电压VGS(TH)(V):5

功率PD(W):53

极间电容Ciss(PF):170

通道极性:N沟道

低频跨导gFS(s)：

单脉冲雪崩能量EAS(mJ):130

温度(℃): -55 ~150

描述:800V,1A N–Channel Enhancement–Mode Silicon Gate

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