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产品属性
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产品型号:STP9NC60FP
封装:TO-220F
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):600
夹断电压VGS(V):±30
最大漏极电流Id(A):5.2
源漏极最大导通电阻rDS(on)(Ω):0.75 @VGS = 10 V
开启电压VGS(TH)(V):4
功率PD(W):40
输入电容Ciss(PF):1400 typ.
通道极性:N沟道
低频跨导gFS(s):10
单脉冲雪崩能量EAS(mJ):850
导通延迟时间Td(on)(ns):28 typ.
上升时间Tr(ns):15 typ.
关断延迟时间Td(off)(ns):53 typ.
下降时间Tf(ns):30 typ.
温度(℃): -65 ~150
描述:600V,5.2A N-沟道增强型 PowerMESH MOSFET
产品特点:
.极高dv / dt能力
.100%的雪崩测试
.新的高压基准
.栅极电荷最小化
应用范围:
.大电流,高开关速度
.SWITH模式电源(SMPS)
.DC-AC转换器的焊接
.设备和不间断
.电源和电机驱动
如需了解更多的产品信息:
1、直接与我司工作人员联系!
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3、:4006262666
4、Q
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5.2A
P-DIT/塑料双列直插
STP9NC60FP中国,MOS,600V,5.2A,0.75Ω,220F
N-FET硅N沟道
ST/意法
N沟道
绝缘栅(MOSFET)
± 30
增强型
1400