场效应管 STP9NC60 STP9NC60FP P9NC60FP

地区:广东 深圳
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产品型号:STP9NC60FP

封装:TO-220F

源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):600

夹断电压VGS(V):±30

最大漏极电流Id(A):5.2

源漏极最大导通电阻rDS(on)(Ω):0.75 @VGS = 10 V

开启电压VGS(TH)(V):4

功率PD(W):40

输入电容Ciss(PF):1400 typ.

通道极性:N沟道

低频跨导gFS(s):10

单脉冲雪崩能量EAS(mJ):850

导通延迟时间Td(on)(ns):28 typ.

上升时间Tr(ns):15 typ.

关断延迟时间Td(off)(ns):53 typ.

下降时间Tf(ns):30 typ.

温度(℃): -65 ~150

描述:600V,5.2A N-沟道增强型 PowerMESH MOSFET

产品特点:
.极高dv / dt能力
.100%的雪崩测试
.新的高压基准
.栅极电荷最小化

应用范围:
.大电流,高开关速度
.SWITH模式电源(SMPS)
.DC-AC转换器的焊接
.设备和不间断
.电源和电机驱动

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3、:4006262666
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漏极电流

5.2A

封装外形

P-DIT/塑料双列直插

型号/规格

STP9NC60FP中国,MOS,600V,5.2A,0.75Ω,220F

材料

N-FET硅N沟道

品牌/商标

ST/意法

沟道类型

N沟道

种类

绝缘栅(MOSFET)

夹断电压

± 30

导电方式

增强型

极间电容

1400