场效应管 P0804BD STU432S P5506BDG

地区:广东 深圳
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P0804BD,SOT-252,NIKO,SMD/MOS,N场,40V,50A,0.0085Ω

STU432S,SOT-252,SamHop/三合微,SMD/MOS,N场,40V,50A,0.009Ω

P5506BDG,SOT-252,NIKO,SMD/MOS,N场,60V,22A,0.055Ω

MOS管,广泛应用于电池充电器,普通电源,智能开关电源,灯具
功率开关,LED,车载,玩具,电动车,电脑主板.
niko MOSFET场效应管系列:
P3055LLG SOT-252 NIKO SMD/MOS N场 25V 6A 0.09Ω
P3057LDG SOT-252 NIKO SMD/MOS N场 25V 12A 0.09Ω
P3055LDG SOT-252 NIKO SMD/MOS N场 25V 13A 0.09Ω
P5002CDG SOT-252 NIKO SMD/MOS N场 20V 20A 0.05
P2003BDG SOT-252 NIKO SMD/MOS N场 25V 32A 0.02
P1703BDG SOT-252 NIKO SMD/MOS N场 25V 46A 0.017Ω
P50N03LDG SOT-252 NIKO SMD/MOS N场 27V 50A 0.012
P70N02LDG SOT-252 NIKO SMD/MOS N场 25V 60A 0.009
P0603BDL SOT-252 NIKO SMD/MOS N场 25V 68A 0.0068Ω
P75N02LDG SOT-252 NIKO SMD/MOS N场 25V 75A 0.007Ω
P0603BDG SOT-252 NIKO SMD/MOS N场 30V 75A 0.0065Ω
P0803BDG SOT-252 NIKO SMD/MOS N场 30V 60A 0.0092
P2804BDG SOT-252 NIKO SMD/MOS N场 40V 10A 0.028Ω
P2504BDG SOT-252 NIKO SMD/MOS N场 40V 12A 0.025
P0804BD SOT-252 NIKO SMD/MOS N场 40V 50A 0.0085
P6006BD SOT-252 NIKO SMD/MOS N场 60V 21A 0.06Ω
P5506BDG SOT-252 NIKO SMD/MOS N场 60V 22A 0.055
P4404EDG SOT-252 NIKO SMD/MOS P场  -40V  -20A 0.044Ω
P5504EDG SOT-252 NIKO SMD/MOS P场  -40V  -21A 0.065Ω
PA102FDG SOT-252 NIKO SMD/MOS P场  -20V  -10A 0.115Ω
P2504EDG SOT-252 NIKO SMD/MOS P场  -40V  -18A 0.0258
P1604ED SOT-252 NIKO SMD/MOS P场  -40V  -43A 0.016
P3003EDG SOT-252 NIKO SMD/MOS P场  -30V  -18A 0.03
P06P03LDG SOT-252 NIKO SMD/MOS P场  -30V  -12A 0.045
P1503BLG 223 NIKO SMD/MOS N场 25V 8A 0.021Ω
P5003QVG SOP-8 NIKO SMD/MOS N P 30V/-30V 10A/-7A 0.0275Ω
P0603BK P-TDSON-8 NIKO SMD/MOS N场 30V 65A 0.006Ω
P0903BK P-TDSON-8 NIKO SMD/MOS N场 30V 53A 0.009Ω
P0903BR 252三脚反贴 NIKO SMD/MOS N场 25V 50A 0.0095Ω
P60N03LR 252三脚反贴 NIKO SMD/MOS N场 25V 60A 0.0138Ω
P70N02LR 252三脚反贴 NIKO SMD/MOS N场 25V 60A 0.0085Ω
P75N02LR 252三脚反贴 NIKO SMD/MOS N场 25V 75A 0.007Ω
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品牌/商标

NIKO

型号/规格

P0804BD,MOS,N场,40V,50A STU432S,N场,40V,50A P5506BDG,N,60V,22A

种类

绝缘栅(MOSFET)

沟道类型

N沟道

导电方式

增强型

封装外形

SMD(SO)/表面封装

材料

N-FET硅N沟道

开启电压

3(V)

夹断电压

20(V)

漏极电流

50A(mA)

耗散功率

50W(mW)