场效应管 FMH06N90G,06N90G,FMH06N90 E

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FMH06N90G,TO-3P,FUJ,DIP/MOS,N场,900V,6A,2.5Ω

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MOS管,广泛应用于电池充电器,普通电源,智能开关电源,灯具
功率开关,LED,车载,玩具,电动车,电脑主板.
900V N沟道 场效应管(MOSFET):
FMH07N90G,TO-3P,FUJ,DIP/MOS,N场,900V,7A,2Ω
FMH09N90G,TO-3P,FUJ,DIP/MOS,N场,900V,9A,1.4Ω
FMH06N90G,TO-3P,FUJ,DIP/MOS,N场,900V,6A,2.5Ω
KHB9D0N90F1 TO-220F KEC DIP/MOS N 900V 9A 1.4Ω
KHB9D0N90N1 TO-3P KEC DIP/MOS N 900V 9A 1.4Ω
2SK2767 FUJ TO-220
FQP2N90 FAIRCHILD TO-220
SSP3N90A FAIRCHILD TO-220
2SK3566 TOSHIBA TO-220F
FS3KM-18A RENESAS/瑞萨 TO-220F
SSS3N90A FAIRCHILD TO-220F
STF3HNK90Z ST TO-220F
2SK2654 FUJ TO-3P
2SK2850 FUJ TO-3P
2SK962 FUJ TO-3P
FQA11N90 FAIRCHILD TO-3P
FQA5N90A FAIRCHILD TO-3P
FQA9N90C FAIRCHILD TO-3P
SSH5N90 FAIRCHILD TO-3P
FQAF7N90 FAIRCHILD TO-3PF
1000V N沟道 场效应管(MOSFET):
FQD2N100-729 FAIRCHILD SOT-252
IRFBG30 IR TO-220
IRFPG30 IR TO-247
IRFPG40 IR TO-247
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品牌/商标

FJD日本富士电机

型号/规格

FMH06N90G,TO-3P,FUJ,DIP/MOS,N场,900V,6A,2.5Ω

种类

绝缘栅(MOSFET)

沟道类型

N沟道

导电方式

增强型

封装外形

P-DIT/塑料双列直插

材料

N-FET硅N沟道

跨导

7S

极间电容

1500

漏极电流

6A