场效应管 2SK3271-01 2SK3271 K3271

地区:广东 深圳
认证:

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产品型号:2SK3271-01

封装:to-3p

源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):60

夹断电压VGS(V): 30/-20

最大漏极电流Id(A):100

源漏极最大导通电阻rDS(on)(Ω):0.065 @VGS = 40 V

开启电压VGS(TH)(V):3.5

功率PD(W):155

极间电容Ciss(PF):9000

通道极性:N沟道

低频跨导gFS(s):50

单脉冲雪崩能量EAS(mJ):490.4

温度(℃): -55 ~150

描述:60V,100A N-Channel 功率MOSFET

应用:
电机控制
通用电源功放
DC-DC变换器

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3、:4006262666
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漏极电流

100A

封装外形

P-DIT/塑料双列直插

型号/规格

2SK3271-01,MOS,60V,100A,0.0065Ω,3P

材料

N-FET硅N沟道

品牌/商标

FJD日本富士电机

沟道类型

N沟道

种类

绝缘栅(MOSFET)

夹断电压

30

导电方式

增强型

极间电容

9000