场效应管 IRLBD59N04 59N04

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IRLBD59N04E条管,MOS,40V,59A,0.018Ω,263-5

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 MOS管,广泛应用于电池充电器,普通电源,智能开关电源,灯具
功率开关,LED,车载,玩具,电动车,电脑主板.
40V场效应管(MOSFET)
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2SK4077-ZK-E1 SMD/MOS NEC SOT-252 N场 40A 20A
72151# SMD/MOS FAIRCHILD SOT-252 N场 40A 0
AM40N04-20D SMD/MOS 艾柏电子 SOT-252 N场 40A 51A
AM40N04-30D-T1-PF SMD/MOS 艾柏电子 SOT-252 N场 40A 33A
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APM4010NUC-TRG SMD/MOS 茂达 SOT-252 N场 40A 57A
APM4010NUC袋装 SMD/MOS 茂达 SOT-252 N场 40A 57A
BSC019N04NSG SMD/MOS infineon P-TDSON-8 N场 40A 100A
BSC030N04NSG SMD/MOS infineon P-TDSON-8 N场 40A 100A
BSC035N04LSG SMD/MOS infineon P-TDSON-8 N场 40A 100A
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BSC054N04NSG 09年 SMD/MOS infineon P-TDSON-8 N场 40A 81A
BSC059N04LSG SMD/MOS infineon P-TDSON-8 N场 40A 73A
BSC059N04LSG 09年 SMD/MOS infineon P-TDSON-8 N场 40A 73A
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BSZ097N04LSG SMD/MOS infineon S3O8 N场 40A 40A
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IRFR4104 SMD/MOS IR SOT-252 N场 40A 119A
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STD30NF04LT4 SMD/MOS ST SOT-252 N场 40A 30A
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品牌/商标

IR/国际整流器

型号/规格

IRLBD59N04E条管,MOS,40V,59A,0.018Ω,263-5

种类

绝缘栅(MOSFET)

沟道类型

N沟道

导电方式

增强型

封装外形

SMD(SO)/表面封装

材料

N-FET硅N沟道

开启电压

2(V)

夹断电压

10(V)

漏极电流

59A(mA)

耗散功率

130W(mW)