场效应管 MDP13N50TH MDP13N50

地区:广东 深圳
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MDP13N50TH,TO-220,MagnaChip/美格纳,DIP/MOS,N场,500V,13A,0.5Ω

General Description
The MDP13N50 uses advanced Magnachip’s MOSFET Technology, which provides low on state resistance, high switching performance
and excellent quality. MDP13N50 is suitable device for SMPS, HID and general purpose applications.

Features
VDS=500V

ID =13.0A @VGS=10V

RDS(ON)<0.5@VGS=10V

 

Applications

Power Supply
HID
Lighting

 

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品牌/商标

MagnaChip/美格纳

型号/规格

MDP13N50TH,TO-220,MagnaChip/美格纳,DIP/MOS,N场,600V,13A,0.5Ω

种类

绝缘栅(MOSFET)

沟道类型

N沟道

导电方式

增强型

封装外形

P-DIT/塑料双列直插

材料

N-FET硅N沟道

夹断电压

30

极间电容

1390

漏极电流

13A