MOS管，广泛应用于电池充电器，普通电源，智能开关电源，灯具
功率开关，LED，车载，玩具，电动车，电脑主板.
产品型号:CEU630N
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):200
夹断电压VGS(V):±20
最大漏极电流Id(A):7.5
源漏极最大导通电阻rDS(on)(Ω):0.36
开启电压VGS(TH)(V):4
功率PD(W):54
极间电容Ciss(PF):930
通道极性:N沟道
封装/温度(℃):SOT-252 /-55 ~150
描述:200V, 7.5A N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
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