场效应管 BSC010NE2LSI,010NE2LI

BSC010NE2LSI,QFN-8 5*6/PG-TDSON-8,SMD/MOS,N场,25V,100A,0.00105Ω

MOS管，广泛应用于电池充电器，普通电源，智能开关电源，灯具
功率开关，LED，车载，玩具，电动车，电脑主板.
产品型号:BSC010NE2LSI

源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):25

夹断电压VGS(V):±20

最大漏极电流Id(A):100

源漏极最大导通电阻rDS(on)(Ω):0.00105

开启电压VGS(TH)(V):2.2

功率PD(W):96

极间电容Ciss(PF):4700

通道极性:N沟道

封装/温度(℃):QFN-8 5*6/PG-TDSON-8 /-55 ~150

描述:25V,100A N-Channel 功率MOSFET

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