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BSC027N04LSG,QFN-8 5*6/PG-TDSON-8,SMD/MOS,N场,40V,100A,0.0027Ω
MOS管,广泛应用于电池充电器,普通电源,智能开关电源,灯具
功率开关,LED,车载,玩具,电动车,电脑主板.
产品型号:BSC027N04LSG
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):40
夹断电压VGS(V):±20
最大漏极电流Id(A):100
源漏极最大导通电阻rDS(on)(Ω):0.0027Ω
开启电压VGS(TH)(V):2
功率PD(W):83
极间电容Ciss(PF):6800
通道极性:N沟道
封装/温度(℃):QFN-8 5*6/PG-TDSON-8 /-55 ~150
描述: 40V,100A N-Channel 功率MOSFET
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INFINEON/英飞凌
BSC027N04LSG,QFN-8 5*6/PG-TDSON-8,SMD/MOS,N场,40V,100A,0.0027Ω
绝缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
S/开关
SMD(SO)/表面封装
N-FET硅N沟道