场效应管 BSC027N04LSG,027N04LS

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BSC027N04LSG,QFN-8 5*6/PG-TDSON-8,SMD/MOS,N场,40V,100A,0.0027Ω

MOS管,广泛应用于电池充电器,普通电源,智能开关电源,灯具
功率开关,LED,车载,玩具,电动车,电脑主板.
产品型号:BSC027N04LSG

源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):40

夹断电压VGS(V):±20

最大漏极电流Id(A):100

源漏极最大导通电阻rDS(on)(Ω):0.0027Ω

开启电压VGS(TH)(V):2

功率PD(W):83

极间电容Ciss(PF):6800

通道极性:N沟道

封装/温度(℃):QFN-8 5*6/PG-TDSON-8 /-55 ~150

描述: 40V,100A  N-Channel 功率MOSFET


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品牌/商标

INFINEON/英飞凌

型号/规格

BSC027N04LSG,QFN-8 5*6/PG-TDSON-8,SMD/MOS,N场,40V,100A,0.0027Ω

种类

绝缘栅(MOSFET)

沟道类型

N沟道

导电方式

增强型

用途

S/开关

封装外形

SMD(SO)/表面封装

材料

N-FET硅N沟道