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产品属性
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产品型号:PHB98N03LT
封装:SOT-263
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):25
夹断电压VGS(V):±20
最大漏极电流Id(A):75
源漏极最大导通电阻rDS(on)(Ω):0.0059 @VGS = 10 V
开启电压VGS(TH)(V):2
功率PD(W):111
输入电容Ciss(PF):3000 typ.
通道极性:N沟道
低频跨导gFS(s):
导通延迟时间Td(on)(ns):18 typ.
上升时间Tr(ns):80 typ.
关断延迟时间Td(off)(ns):104 typ.
下降时间Tf(ns):104 typ.
温度(℃): -50 ~175
描述:25V,75A N-沟道增强型场效应晶体管
特点:
.Trench技术
.低通态电阻
.快速开关
应用范围:
.电脑主板的高频DC-DC转换器
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3、:4006262666
4、Q
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75A
SMD(SO)/表面封装
PHB98N03,SOT-263,PHILIPS,25V.75A
N-FET硅N沟道
PHILIPS/飞利浦
N沟道
绝缘栅(MOSFET)
增强型
-
3000