场效应管 PHB98N03,PHB98N03LT

地区:广东 深圳
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产品型号:PHB98N03LT

封装:SOT-263

源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):25

夹断电压VGS(V):±20

最大漏极电流Id(A):75

源漏极最大导通电阻rDS(on)(Ω):0.0059 @VGS = 10 V

开启电压VGS(TH)(V):2

功率PD(W):111

输入电容Ciss(PF):3000 typ.

通道极性:N沟道

低频跨导gFS(s):

导通延迟时间Td(on)(ns):18 typ.

上升时间Tr(ns):80 typ.

关断延迟时间Td(off)(ns):104 typ.

下降时间Tf(ns):104 typ.

温度(℃): -50 ~175

描述:25V,75A N-沟道增强型场效应晶体管

特点:
.Trench技术
.低通态电阻
.快速开关

应用范围:
.电脑主板的高频DC-DC转换器

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漏极电流

75A

封装外形

SMD(SO)/表面封装

型号/规格

PHB98N03,SOT-263,PHILIPS,25V.75A

材料

N-FET硅N沟道

品牌/商标

PHILIPS/飞利浦

沟道类型

N沟道

种类

绝缘栅(MOSFET)

导电方式

增强型

低频噪声系数

-

极间电容

3000