场效应管 TK65A10N1,TK55A10J1

TK65A10N1,TOSHIBA,TO-220F,DIP/MOS,N场,100V,65A,0.0048Ω

TK55A10J1,TO-220F,DIP/MOS,N场,100V,55A,0.0105Ω

产品型号:TK65A10N1

封装:TO-220F

品牌：TOSHIBA/东芝

源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):100

夹断电压VGS(V):±20

最大漏极电流Id(A):65

源漏极最大导通电阻rDS(on)(Ω):0.0048 @VGS = 10 V

开启电压VGS(TH)(V):4

功率PD(W):45

输入电容Ciss(PF):5700 typ.

通道极性:N沟道

低频跨导gFS(s)：

单脉冲雪崩能量EAS(mJ):143

导通延迟时间Td(on)(ns):44 typ.

上升时间Tr(ns):19 typ.

关断延迟时间Td(off)(ns):85 typ.

下降时间Tf(ns):25 typ.

温度(℃): -55 ~150

描述:TK65A10N1 100V,65A N-沟道增强型场效应晶体管

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