场效应管 2N7002,2N7002K,2N7002W

地区:广东 深圳
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产品型号:2N7002

封装:SOT-23

源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):60

夹断电压VGS(V):±20

最大漏极电流Id(A):0.18

源漏极最大导通电阻rDS(on)(Ω):5 @VGS = 10 V

开启电压VGS(TH)(V):3

功率PD(W):0.3

输入电容Ciss(PF):25 typ.

通道极性:N沟道

低频跨导gFS(s):0.2

温度(℃): -65 ~150

描述:60V,0.18A N-沟道增强型场效应晶体管

应用
移动电源
 
特点
 直接接口的C-MOS,TTL等。
 高速开关
 无二次击穿。

"
封装外形

SMD(SO)/表面封装

型号/规格

2N7002,SOT-23,SMD/MOS,N场,60V,0.18A,5Ω

材料

N-FET硅N沟道

用途

S/开关

品牌/商标

NXP/恩智浦

沟道类型

频道

种类

绝缘栅(MOSFET)

导电方式

增强型

应用范围

放大