场效应管 2N7002,2N7002K,2N7002W
地区:广东 深圳
认证:
无
图文详情
产品属性
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产品型号:2N7002
封装:SOT-23
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):60
夹断电压VGS(V):±20
最大漏极电流Id(A):0.18
源漏极最大导通电阻rDS(on)(Ω):5 @VGS = 10 V
开启电压VGS(TH)(V):3
功率PD(W):0.3
输入电容Ciss(PF):25 typ.
通道极性:N沟道
低频跨导gFS(s):0.2
温度(℃): -65 ~150
描述:60V,0.18A N-沟道增强型场效应晶体管
应用
移动电源
特点
直接接口的C-MOS,TTL等。
高速开关
无二次击穿。
SMD(SO)/表面封装
2N7002,SOT-23,SMD/MOS,N场,60V,0.18A,5Ω
N-FET硅N沟道
S/开关
NXP/恩智浦
频道
绝缘栅(MOSFET)
增强型
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