FDP33N25 MOS管 晶体管

制造商零件编号FDP33N25

描述MOSFET N-CH 250V 33A TO-220

产品属性

类别分立半导体产品晶体管 - FET，MOSFET -

 单制造商ON Semiconductor

系列UniFET

包装 管件 

零件状态在售

FET 类型N 

沟道技术MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）250V电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）33A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）10V不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）94 毫欧 @ 16.5A，10V不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）5V @ 250μA不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）48nC @ 10VVgs（最大值）±30V不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）2135pF @ 25VFET 

功能-功率耗散（最大值）235W（Tc）工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型通孔供应商器件封装TO-220-3封装/外壳TO-220-3

ON Semiconductor -ON Semiconductor (Nasdaq: ON) 推动能效创新，帮助客户减少总体能源使用。 公司提供种类全面的产品组合，具体包括高能效电源和信号管理、逻辑、分立和定制解决方案，能帮助设计工程师解决在汽车、通信、计算、消费电子、工业、LED 照明、医疗、军事/航空航天和电源应用方面的独特设计难题。 ON Semiconductor 拥有全球一流、响应迅速的可靠供应链和质量程序，在北美、欧洲和亚太地区的主要市场中运营着包括制造工厂、销售办事处及设计中心在内的网络

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