MT41K128M16JT-125 IT:K DDR存储器 2GB

制造商零件编号MT41K128M16JT-125 IT:K

描述IC DRAM 2G PARALLEL 96FBGA对无铅要求的达标情况/对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况无铅/符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求湿气敏感性等级 （MSL）3（168 小时）

详细描述SDRAM - DDR3L 存储器 IC 2Gb （128M x 16） 并联 pval(800) pval(2192) 96-FBGA（8x14）

规格存储器类型易失存储器格式DRAM技术SDRAM - DDR3L存储容量2Gb （128M x 16）时钟频率800MHz写周期时间 - 字，页-访问时间13.75ns存储器接口并联电压 - 电源1.283 V ~ 1.45 V工作温度-40°C ~ 95°C（TC）

安装类型表面贴装封装/外壳96-TFBGA供应商器件封装96-FBGA（8x14）

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制造商零件编号MT41K128M16JT-125 IT:K

描述IC DRAM 2G PARALLEL 96FBGA对无铅要求的达标情况/对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况无铅/符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求湿气敏感性等级 （MSL）3（168 小时）

详细描述SDRAM - DDR3L 存储器 IC 2Gb （128M x 16） 并联 pval(800) pval(2192) 96-FBGA（8x14）

规格存储器类型易失存储器格式DRAM技术SDRAM - DDR3L存储容量2Gb （128M x 16）时钟频率800MHz写周期时间 - 字，页-访问时间13.75ns存储器接口并联电压 - 电源1.283 V ~ 1.45 V工作温度-40°C ~ 95°C（TC）

安装类型表面贴装封装/外壳96-TFBGA供应商器件封装96-FBGA（8x14）

制造商零件编号MT41K128M16JT-125 IT:K

描述IC DRAM 2G PARALLEL 96FBGA对无铅要求的达标情况/对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况无铅/符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求湿气敏感性等级 （MSL）3（168 小时）

详细描述SDRAM - DDR3L 存储器 IC 2Gb （128M x 16） 并联 pval(800) pval(2192) 96-FBGA（8x14）

规格存储器类型易失存储器格式DRAM技术SDRAM - DDR3L存储容量2Gb （128M x 16）时钟频率800MHz写周期时间 - 字，页-访问时间13.75ns存储器接口并联电压 - 电源1.283 V ~ 1.45 V工作温度-40°C ~ 95°C（TC）

安装类型表面贴装封装/外壳96-TFBGA供应商器件封装96-FBGA（8x14）