TC58NVG1S3ETA00BBH场效应管专营,原装!

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品牌/商标

TOSHIBA/东芝

型号/规格

TC58NVG1S3ETA00BBH

种类

*缘栅(MOSFET)

沟道类型

N沟道

导电方式

增强型

用途

MAP/匹配对管

封装外形

LLCC/无引线陶瓷片载

材料

N-FET硅N沟道

开启电压

8(V)

夹断电压

6(V)

跨导

2(μS)

*间电容

3(pF)

低频噪声系数

3(dB)

漏*电流

3(mA)

耗散功率

3(mW)