HMC284AMS8GE 射频开关 ▊进口原装现货▊

本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。

制造商：Analog Devices Inc.
产品种类：RF射频开关IC
RoHS：详细信息
开关数量：双
开关配置：SPDT
工作频率：DC至3.5 GHz
侵入损耗：0.7 dB
关闭隔离—典型值：40 dB
MAX工作温度：+ 85 C
安装风格：SMD / SMT
封装/箱体：MSOP-8
封装：切割带
封装：MouseReel
封装：卷盘
系列：HMC284A
技术
商标：Analog Devices
射频开关MIN工作温度：-40 C
射频开关湿度敏感性：是
产品类型：射频开关IC
工厂包装数量：50
子类别：无线和射频集成电路
单位重量：140毫克

典型应用
HMC284AMS8G / HMC284AMS8GE适用于：
•蜂窝/ PCS基站
•2.4 GHz ISM
•3.5 GHz无线本地环路
特征
高隔离度：> 45 dB
正控制：0 / + 5V
无反光设计
超小封装：MSOP8G
一般说明
HMC284AMS8G和HMC284AMS8GE是采用8引脚接地基本MSOP封装的低成本SPDT开关。该设计经过优化，可为中功率和低功率应用提供高隔离度，并且插入损耗极小。片上电路允许在非常低的DC电流下进行正电压控制，其控制输入与CMOS和大多数TTL逻辑系列兼容。在“ OFF”状态下，RF1和RF2是非反射性的。
额定值
射频输入功率（Vctl = 0 / + 5V）+26 dBm
控制电压范围-0.5至+7.5 Vdc
热开关功率水平
（Vctl = 0 / + 5V）+18 dBm的
通道温度150°C
热阻
（插入损耗路径）130°C / W
热阻
（终止路径）252°C / W
储存温度-65至+150°C
工作温度-40至+85°C
ESD灵敏度（HBM）1A级
应用中使用的电路板应为
使用适当的RF电路设计技术生成。
射频端口的信号线应为50欧姆
阻抗和封装接地引线以及
包装底部应直接连接到
接地平面类似于上图所示。 上面所示的评估电路板可从
ADI公司，根据要求。