HMC849ALP4CE 射频开关 ▊进口原装现货▊

本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。

制造商：Analog Devices Inc.
产品种类：RF射频开关IC
RoHS：详细信息
开关数量：双
开关配置：SPDT
工作频率：DC至6 GHz
侵入损耗：0.9 dB
关闭隔离—典型值：60 dB
MAX工作温度：+ 85 C
安装风格：SMD / SMT
封装/箱体：QFN-16
封装：切割带
系列：HMC849
技术
商标：Analog Devices
MIN工作温度：-40 C
湿度敏感性：是
射频开关工作电源电流：1.3 mA
射频开关钯-功率耗散：0.969 W
产品类型：射频开关IC
工厂包装数量：50
子类别：无线和射频集成电路
电源电压-MAX：5 V
电源电压-MIN：3 V
单位重量：57.100毫克

典型应用
HMC849ALP4CE非常适合：
•蜂窝/ 4G基础架构
•WiMAX，WiBro和固定无线
•汽车远程信息处理
•移动电台
• 测验设备
特征
高隔离度：高达60 dB
单正控制：0 / + 3V至+ 5V
高输入IP3：+52 dBm
无反光设计
“全灭”状态
16引线4x4 mm QFN封装：16mm2
一般说明
HMC849ALP4CE是采用低成本无引脚表面贴装封装的高隔离度非反射式DC至6 GHz GaAs pHEMT SPDT开关。 该开关非常适合蜂窝/ WiMAX / 4G基础设施应用，可提供高达60 dB的隔离度，低0.8 dB的插入损耗和+52 dBm的输入IP3。 整个开关在5-6 GHz WiMAX频段上都具有出色的功率处理能力，该开关的P1dB压缩点为+31 dBm。 片上电路允许在非常低的直流电流下进行0 / + 3V或0 / + 5V的单个正电压控制。 设置为逻辑高电平的使能输入（EN）将使开关处于“全关”状态。
额定值
偏置电压（Vdd）7V
控制电压（Vctl，EN）-1V至Vdd + 1V
射频输入功率*
直通路径3V / 5V
端接路径3V / 5V
31/33 dBm的
26.5 dBm的
通道温度150°C
连续Pdiss（T = 85°C）
（通过路径降低14.9 mW /°C，
对于高于85°C的终端路径，为6.9 mW /°C）
通过路径
终止路径
0.969瓦
0.451瓦
热阻
（从通道到包装底部）
通过路径
终止路径
67.1°C /瓦
144.2°摄氏度/瓦
储存温度-65至+150°C
工作温度-40至+85°C
ESD灵敏度（HBM）1A级