IRF2907ZPBF F2907Z *原装IR公司 N-CH 75V 75A TO-220AB

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規格書產品相片產品目錄繪圖標準包裝類別家庭系列FET型FET特點開態Rds(*大)@ Id, Vgs @ 25° C漏極至源極的電壓(Vdss)電流 - 連續漏極(Id) @ 25° CId時的Vgs(th)(*大值)閘電流(Qg) @ VgsVds時的輸入電容(Ciss)功率 - *大安裝類型封裝/外殼供應商設備封裝封裝產品目錄頁面其他名稱
IRF2907Z(S,L)PbF
TO-220AB PKG
IR Hexfet TO-220AB
50
離散半導體產品
FET - 單路
HEXFET®
MOSFET N通道,金屬氧化物
標準
4.5 毫歐姆 @ 75A, 10V
75V
160A
4V @ 250µA
270nC @ 10V
7500pF @ 25V
300W
通孔
TO-220-3
TO-220AB
管裝
1548 (TW2011-ZH PDF)
*IRF2907ZPBF
規格書產品相片產品目錄繪圖標準包裝類別家庭系列FET型FET特點開態Rds(*大)@ Id, Vgs @ 25° C漏極至源極的電壓(Vdss)電流 - 連續漏極(Id) @ 25° CId時的Vgs(th)(*大值)閘電流(Qg) @ VgsVds時的輸入電容(Ciss)功率 - *大安裝類型封裝/外殼供應商設備封裝封裝產品目錄頁面其他名稱
IRF2907Z(S,L)PbF
TO-220AB PKG
IR Hexfet TO-220AB
50
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FET - 單路
HEXFET®
MOSFET N通道,金屬氧化物
標準
4.5 毫歐姆 @ 75A, 10V
75V
160A
4V @ 250µA
270nC @ 10V
7500pF @ 25V
300W
通孔
TO-220-3
TO-220AB
管裝
1548 (TW2011-ZH PDF)
*IRF2907ZPBF
品牌/商标

IR/国际整流器

型号/规格

IRF2907ZPBF

种类

*缘栅(MOSFET)

沟道类型

N沟道

导电方式

耗尽型

用途

HF/高频(射频)放大

封装外形

CER-DIP/陶瓷直插

材料

N-FET硅N沟道

开启电压

75(V)

夹断电压

75(V)

跨导

10(μS)

*间电容

10(pF)

低频噪声系数

10(dB)

漏*电流

75A(mA)

耗散功率

300W(mW)