供应场效应PHB11N06LT
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NXP/恩智浦
PHB11N06LT
*缘栅(MOSFET)
N沟道
耗尽型
NF/音频(低频)
SMD(SO)/表面封装
GE-P-FET锗P沟道
45（V）
45（V）
45（μS）
45（pF）
45（dB）
45（mA）
45（mW）
