供应场效应管NTD5803N
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0N/安森美
NTD5803N
*缘栅(MOSFET)
N沟道
耗尽型
MOS-FBM/全桥组件
SMD(SO)/表面封装
GE-N-FET锗N沟道
30（V）
30（V）
24（μS）
500（pF）
24（dB）
24（mA）
24（mW）
