产品详情

大功率MOSfet

地区：广东 深圳
认证： 无

深圳市星泓成电子有限公司

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耐压75V/Ids:85A
内阻:8mohm
  **电流冲击(300uS/25度):360A
 Ciss:3450pF/Coss:450pF/Crss:120pF
Qg:80nC
 封装:TO-220. TO-263
温升(实测数据):8A/28度(电芯20Ah,13串,同 口,单MOS未加任何散热方式)

 

品牌/商标

HY、后羿

型号/规格

HY1807

种类

*缘栅(MOSFET)

沟道类型

N沟道

导电方式

增强型

用途

DC/直流

封装外形

P-DIT/塑料双列直插

材料

N-FET硅N沟道