N通道MOSFET管IXFB100N50P

地区:广东 深圳
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CategoryFamilySeriesFET T*eFET FeatureRds On (Max) @ Id, VgsDrain to Source Voltage (Vdss)Current - Continuous Drain (Id) @ 25° CVgs(th) (Max) @ IdGate Charge (Qg) @ VgsInput Capacitance (Ciss) @ VdsPower - MaxMounting T*ePackage / Case
Discrete Semiconductor Products
MOSFETs, GaNFETs - Single
PolarHV™
MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Standard
49 mOhm @ 500mA, 10V
500V
100A
5V @ 8mA
240nC @ 10V
20000pF @ 25V
1250W
Through Hole
3-PLUS264™

深圳市深霸电子经营部
:林先生
Mobile:(深圳)  13556738142(东莞)
Phone:79
Fax:
Sk*e:lyd0506
MSN:lyd0506@hotmail.com
E-Mail:lyd0506@hotmail.com
Business
贸易通:szshengbadz

公司主要服务包括:
为客户提供在线及报价服务;
为客户提供*的产品技术资料和参数;
提供各种电子元器件配套供销服务;

品牌/商标

IXYS/艾赛斯

型号/规格

IXFB100N50P

种类

*缘栅(MOSFET)

沟道类型

N沟道

导电方式

增强型

用途

HF/高频(射频)放大

封装外形

CER-DIP/陶瓷直插

材料

N-FET硅N沟道

开启电压

500(V)

夹断电压

100000(V)

低频跨导

见下表详细说明(μS)

*间电容

见下表详细说明(pF)

低频噪声系数

见下表详细说明(dB)

漏*电流

见下表详细说明(mA)

耗散功率

见下表详细说明(mW)