供美国IR 场效应管IRF1404 F1404S

IRF1404 概述

　　IR的HEXFET功率场效应管IRF1404采用*的工艺技术制造，具有*低的导通阻*。IRF1404这种特性，加上快速的转换速率，和以坚固耐用著称的HEXFET设计，使得IRF1404成为*其**、应用范围*广的器件。
　　TO-220封装的IRF1404普遍适用于功耗在50W左右的工商业应用，低热阻和*的TO-220封装，使IRF1404得到业内的普遍*。D2Pak封装的IRF1404适用于贴片安装，比起现有的任何其他贴片封装，可说是功率*高，导通阻*。TO-262是IRF1404的通孔安装版，适合较低端的应用。

IRF1404 特性

• *的工艺技术
• 贴片安装（IRF1404S）
• 低端通孔安装（IRF1404L）
• *导通阻*
• 动态dv/dt率
• 175℃工作温度
• 快速转换速率
• 车工级产品
• 无铅*