SI4567DY-T1-E3

欢迎来到SI4567DY-T1-E3的产品页面！

详细介绍：

数据列表SI4567DY;标准包装  2,500包装  标准卷带 

零件状态停產类别分立半导体产品产品族晶体管 - FET，MOSFET - 阵

列系列TrenchFET®规格FET 类型N 和 P 沟道FET 功能标准漏源电压（Vdss）40V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）5A，4.4A不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）60 毫欧 @ 4.1A，

10V不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）2.2V @ 250μA不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）12nC @ 

10V不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）355pF @ 20V功率 - 最大值2.75W，2.95W工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型表面贴装型封装/外壳8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）供应商器件封装8-SO

数据列表SI4567DY;标准包装  2,500包装  标准卷带

零件状态停產类别分立半导体产品产品族晶体管 - FET，MOSFET - 阵

列系列TrenchFET®规格FET 类型N 和 P 沟道FET 功能标准漏源电压（Vdss）40V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）5A，4.4A不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）60 毫欧 @ 4.1A，

10V不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）2.2V @ 250μA不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）12nC @

10V不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）355pF @ 20V功率 - 最大值2.75W，2.95W工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型表面贴装型封装/外壳8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）供应商器件封装8-SO

数据列表SI4567DY;标准包装  2,500包装  标准卷带

零件状态停產类别分立半导体产品产品族晶体管 - FET，MOSFET - 阵

列系列TrenchFET®规格FET 类型N 和 P 沟道FET 功能标准漏源电压（Vdss）40V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）5A，4.4A不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）60 毫欧 @ 4.1A，

10V不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）2.2V @ 250μA不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）12nC @

10V不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）355pF @ 20V功率 - 最大值2.75W，2.95W工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型表面贴装型封装/外壳8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）供应商器件封装8-SO

感谢来到SI4567DY-T1-E3的产品页面！由深圳亚芯电子科技有限公司为您提供，位于坂田华众科技园，我们将以最贴心的服务，给您最好的品质！