长期供应MOS-AO7417 原装

AO7417AO7417AO7417AO7417AO7417

场效应管与双极性晶体管的比较：

   场效应管是电压控制器件，栅极基本不取电流，而晶体管是电流控制器件，基极必须取一定的电流。因此，在信号源额定电流极小的情况，应选用场效应管。

   场效应管是多子导电，而晶体管的两种载流子均参与导电。由于少子的浓度对温度、辐射等外界条件很敏感，因此，对于环境变化较大的场合，采用场效应管比较合适。

   场效应管除了和晶体管一样可作为放大器件及可控开关外，还可作压控可变线性电阻使用。

   场效应管的源极和漏极在结构上是对称的，可以互换使用，耗尽型MOS管的栅——源电压可正可负。因此，使用场效应管比晶体管灵活。

授权产品线 IR(国际整流器)  AOS(美国万代） TI(德州仪器)  MAXIM(美信）

备货系列有：IRLML 2402 2502 6302 6401 2246 2244 等..

AO 3400 3401 3402 4403 4405 4409 4606 4801 等...

LM 2576 2596 3409 2575 TL 431 432 TPS系列 等...

MAX 202 3232 3221 485 487 490 3485 232 660 等...

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EP1S EP1A EP2S EP3S EP4S 等...

Rohs Lead free / RoHS Compliant标准包装 3,000FET 型 MOSFET N-Channel, Metal OxideFET特点 Logic Level Gate漏极至源极电压（VDSS） 30V电流-连续漏极（编号）@ 25°C 14ARds（最大）@ ID，VGS 9.5 mOhm @ 14A, 10VVGS（TH）（最大）@ Id 2.2V @ 250μA栅极电荷（Qg）@ VGS 18nC @ 10V输入电容（Ciss）@ Vds的 770pF @ 15V功率 - 最大 3.1W安装类型 Surface Mount包/盒 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)供应商器件封装 8-SOIC包装材料 Tape & Reel (TR)FET特点 Logic Level Gate封装 Tape & Reel (TR)安装类型 Surface Mount电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C 14A (Ta)的Vgs（th ） （最大）@ Id 2.2V @ 250μA供应商设备封装 8-SOIC其他名称 785-1290-2开态Rds（最大）@ Id ，V GS 9.5 mOhm @ 14A, 10VFET型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide功率 - 最大 3.1W标准包装 3,000漏极至源极电压（Vdss） 30V输入电容（Ciss ） @ VDS 770pF @ 15V闸电荷（Qg ） @ VGS 18nC @ 10V封装/外壳 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant