STP8NK80ZFP-场效应管原装

STP8NK80ZFP
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标准包装 50
FET 型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET特点 Standard
漏极至源极电压（VDSS） 800V
电流-连续漏极（编号）@ 25°C 6.2A
Rds（最大）@ ID，VGS 1.5 Ohm @ 3.1A, 10V
VGS（TH）（最大）@ Id 4.5V @ 100μA
栅极电荷（Qg）@ VGS 46nC @ 10V
STP8NK80ZFP
输入电容（Ciss）@ Vds的 1320pF @ 25V
功率 - 最大 30W
安装类型 Through Hole
STP8NK80ZFP包/盒 TO-220-3 Full Pack
供应商器件封装 TO-220FP
包装材料 Tube
包装 3TO-220FP
通道模式 Enhancement
最大漏源电压 800 V
最大连续漏极电流 6.2 A
RDS -于 1500@10V mOhm
最大门源电压 ±30 V
典型导通延迟时间 17 ns
典型上升时间 30 ns
典型关闭延迟时间 48 ns
典型下降时间 28 ns
工作温度 -55 to 150 °C
安装 Through Hole
STP8NK80ZFP标准包装 Rail / Tube
最大门源电压 ±30
包装宽度 4.6(Max)
PCB 3
最大功率耗散 30000
最大漏源电压 800

欧盟RoHS指令 Compliant

最大漏源电阻 1500@10V

每个芯片的元件数 1

工作温度 -55

供应商封装形式 TO-220FP

标准包装名称 TO-220F

最高工作温度 150

渠道类型 N

包装长度 10.4(Max)

引脚数 3

包装高度 16.4(Max)

最大连续漏极电流 6.2

封装 Tube

标签 Tab

铅形状 Through Hole

单位包 50

最小起订量 1000