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产品属性
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工厂包装数量 1000
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 1050 V
晶体管极性 N-Channel
封装/外壳 TO-220FP-3
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage 3 V
Qg - Gate Charge 17 nC
Vgs - Gate-Source Voltage 30 V
下降时间 25 ns
封装 Tube
品牌 STMicroelectronics
通道数 1 Channel
配置 Single
最工作温度 + 150 C
Id - Continuous Drain Current 4 A
Rds On - Drain-Source Resistance 1.4 Ohms
RoHS RoHS Compliant
典型关闭延迟时间 43 ns
通道模式 Enhancement
系列 MDmesh K5
安装风格 Through Hole
最工作温度 - 55 C
Pd - Power Dissipation 25 W
上升时间 7 ns
技术 Si
P( TOT ) 25 W
R( THJC ) 1.14 K/W
V( DS ) 1050 V
I(D)at Tc=25°C 4 A
包装 TO220FP
汽车 NO
Q(克) 17 nC
Fast bodydiode NO
安装 THT
RDS(on)at 10V 2000 mOhm
Logic level NO
Leadfree Defin RoHS-conform
Configuartion N-CH
产品广泛应用于电源,通讯,汽车电子,医疗设备,节能灯,家电,等领域
<1>电源类产品:开关电源、不间断电源UPS、电源转换器AC/DC、DC/DC、手机充电器等产品范围选择器 (MDmesh K5 Series) 查看全系列相关产品
漏源电压, Vds
电流, Id 连续
在电阻RDS(上)
晶体管封装类型
晶体管安装
阈值电压 Vgs
功耗 Pd
针脚数
产品类型
汽车质量标准
STF7N105K5
St
直插
无铅环保型
直插式
盒带编带包装
大功率
供应原装NVB6411ANT4G ,NVB6411ANT4G :FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
供应原装STTH30AC06CP,整流器 Ultrafast Recovery 3000V 12pF Diode DIODE ULT FAST 600V 30A TOP3
供应IPS品牌MOS管 FTP08N06 ,FTP08N06 封装/温度(℃):TO-220 4/-55 ~150
供应MOS管IRF630,IRF630参数:开态电阻, Rds(on):0.4ohm,IRF630满功率温度:25°C
供应原装SPA20N60C3,SPA20N60C3漏极至源极电压(VDSS) 650V,SPA20N60C3功率 - 34.5W
供应原装MOS管:IRF3205,IRF3205连续漏极电流 110 A
供应St原装MOS管 STF7N105K5 封装TO-220F
代理供应仙童原装MOS管 KA5M0365RYDTU
供应英飞凌MOS管SPA11N60C3,SPA11N60C3漏极至源极电压(VDSS) 650V,SPA11N60C3
供应场效应管IRF3205PBF 原装现货长期供应