供应场效应管IRF3205PBF 原装现货长期供应

FET 类型N 沟道技术MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）55V电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）110A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）10V不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）4V @ 250μA不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）146nC电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs10VVgs（最大值）±20V不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）3247pF电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds25VFET 功能-功率耗散（最大值）200W（Tc）不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）8 毫欧 @ 62A，10V工作温度-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型通孔供应商器件封装TO-220AB封装/外壳TO-220-3

产品广泛应用于电源，通讯，汽车电子，医疗设备，节能灯,家电，等领域
＜1＞电源类产品：开关电源、不间断电源UPS、电源转换器AC/DC、DC/DC、手机充电器等
＜2＞消费电子类产品：音响、DVD/VCD、DVD刻录机、机顶盒、MP3等
＜3＞汽车电子类产品：HID安定器、汽车音响、车载DVD、汽车导航系统、汽车防盗器等

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