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地区：广东 深圳
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FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 400mA（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3.7V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 10nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 156pF @ 25V
Vgs（最大值） ±30V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 3.3W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 8.5 欧姆 @ 500mA，10V
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 SOT-223

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型号

STN1HNK60

封装

SOT-223

批次

17+Rohs

数量

28000