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FET 类型N 沟道技术MOSFET(金属氧化物)漏源电压(Vdss)800V电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)5.2A(Tc)驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)10V不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)1.8 欧姆 @ 2.6A,10V不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)4.5V @ 100μA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)56nC @ 10VVgs(最大值)±30V不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)1138pF @ 25VFET 功能-功率耗散(最大值)125W(Tc)工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)安装类型通孔供应商器件封装TO-220AB




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产品说明: 主营产品原装正品业界!公司现货库存,可上门看货。欢迎来电咨询,,李


品牌

ST原装

封装

TO220

批次

16+Rohs

数量

35000