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产品属性
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制造商编号:BSS123
制造商: ON Semiconductor
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOT-23-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 100 V
Id-连续漏极电流: 170 mA
Rds On-漏源导通电阻: 6 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 360 mW
配置: Single
通道模式: Enhancement
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
封装: Reel
高度: 1.2 mm
长度: 2.9 mm
产品: MOSFET Small Signal
系列: BSS123
晶体管类型: 1 N-Channel
类型: FET
宽度: 1.3 mm
商标: ON Semiconductor / Fairchild
正向跨导 - 最小值: 0.8 S
下降时间: 9 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 9 ns
工厂包装数量: 3000
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 17 ns
典型接通延迟时间: 1.7 ns
零件号别名: BSS123_NL
单位重量: 30 mg
整流二极管(rectifier diode)一种用于将交流电转变为直流电的半导体器件。二极管最重要的特性就是单方向导电性。在电路中,电流只能从二极管的正极流入,负极流出。通常它包含一个PN结,有正极和负极两个端子。整流二极管主要用于各种低频半波整流电路,如需达到全波整流需连成整流桥使用。
其他
NXP
BSS123
SOT23
5
12+
否
汽车电子,网络通信,安防设备
硅(Si)
5