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产品属性
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制造商编号:PEMD9,115
制造商: Nexperia
产品种类: 双极晶体管 - 预偏置
RoHS: 详细信息
配置: Dual
晶体管极性: NPN, PNP
典型输入电阻器: 10 kOhms
典型电阻器比率: 0.21
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOT-666-6
直流集电极/Base Gain hfe Min: 100
集电极—发射极最大电压 VCEO: 50 V
集电极连续电流: 100 mA
峰值直流集电极电流: 100 mA
Pd-功率耗散: 200 mW
最小工作温度: - 65 C
最大工作温度: + 150 C
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
封装: Reel
发射极 - 基极电压 VEBO: 10 V
其他
NXP
PEMD9,115
SOT563
5
12+
否
汽车电子,网络通信,安防设备
硅(Si)
5