稳压二极管现货供应NTR4101PT1G

制造商编号：NTR4101PT1G

制造商: ON Semiconductor

产品种类: MOSFET

RoHS:  详细信息  

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: SOT-23-3

通道数量: 1 Channel

晶体管极性: P-Channel

Vds-漏源极击穿电压: 20 V

Id-连续漏极电流: 2.4 A

Rds On-漏源导通电阻: 85 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: 8 V

Vgs th-栅源极阈值电压: - 1.2 V

Qg-栅极电荷: 7.5 nC

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 150 C

Pd-功率耗散: 0.73 W

配置: Single

通道模式: Enhancement

封装: Cut Tape

封装: MouseReel

封装: Reel

高度: 0.94 mm  

长度: 2.9 mm  

产品: MOSFET Small Signal  

系列: NTR4101P  

晶体管类型: 1 P-Channel  

类型: MOSFET  

宽度: 1.3 mm  

商标: ON Semiconductor  

正向跨导 - 最小值: 7.5 S  

下降时间: 21 ns  

产品类型: MOSFET  

上升时间: 12.6 ns  

工厂包装数量: 3000  

子类别: MOSFETs  

典型关闭延迟时间: 30.2 ns  

典型接通延迟时间: 7.5 ns  

单位重量: 8 mg

稳压二极管的最大稳定电流应高于应用电路的最大负载电流50%左右。

稳压二极管损坏后，应采用同型号稳压二极管或电参数相同的稳压二极管来更换。

可以用具有相同稳定电压值的高耗散功率稳压二极管来代换耗散功率低的稳压二极管，但不能用耗散功率低的稳压二极管来代换耗散功率高的稳压二极管。