晶体管NTR4503NT1G全新现货

制造商编号：NTR4503NT1G

制造商: ON Semiconductor

产品种类: MOSFET

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: SOT-23-3

通道数量: 1 Channel

晶体管极性: N-Channel

Vds-漏源极击穿电压: 30 V

Id-连续漏极电流: 2.5 A

Rds On-漏源导通电阻: 110 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: 10 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 1 V

Qg-栅极电荷: 3.6 nC

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 150 C

Pd-功率耗散: 730 mW

系列: NTR4503N  

晶体管类型: 1 N-Channel  

类型: MOSFET  

宽度: 1.3 mm  

商标: ON Semiconductor  

正向跨导 - 最小值: 5.3 S  

下降时间: 1.6 ns, 1.8 ns  

产品类型: MOSFET  

上升时间: 5.8 ns, 6.7 ns  

一个双极性晶体管由三个不同的掺杂半导体区域组成，它们分别是发射极区域、基极区域和集电极区域。这些区域在NPN型晶体管中分别是N型、P型和N型半导体，而在PNP型晶体管中则分别是P型、N型和P型半导体。每一个半导体区域都有一个引脚端接出，通常用字母E、B和C来表示发射极（Emitter）、基极（Base）和集电极（Collector）。