双极晶体管MMBT2222AWT1G

制造商编号：MMBT2222AWT1G

制造商: ON Semiconductor

产品种类: 双极晶体管 - 预偏置

RoHS:  详细信息  

配置: Single

晶体管极性: PNP

典型输入电阻器: 22 kOhms

典型电阻器比率: 1

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: SC-70-3

晶体管极性: NPN

配置: Single

集电极—发射极最大电压 VCEO: 40 V

集电极—基极电压 VCBO: 75 V

发射极 - 基极电压 VEBO: 6 V

集电极—射极饱和电压: 1 V

最大直流电集电极电流: 0.6 A

Pd-功率耗散: 150 mW

增益带宽产品fT: 300 MHz

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 150 C

系列: MMBT2222AW

封装: Cut Tape

封装: MouseReel

封装: Reel

高度: 0.85 mm  

长度: 2.1 mm  

技术: Si  

宽度: 1.24 mm  

商标: ON Semiconductor  

集电极连续电流: 0.6 A  

直流集电极/Base Gain hfe Min: 35  

产品类型: BJTs - Bipolar Transistors  

工厂包装数量: 3000  

子类别: Transistors  

单位重量: 28 mg

NPN型双极性晶体管可以视为共用阳极的两个二极管接合在一起。在双极性晶体管的正常工作状态下，基极-发射极结（称这个PN结为“发射结”）处于正向偏置状态，而基极-集电极（称这个PN结为“集电结”）则处于反向偏置状态。在没有外加电压时，发射结N区的电子（这一区域的多数载流子）浓度大于P区的电子浓度，部分电子将扩散到P区。