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产品属性
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制造商编号:NTD3055L104G
制造商: ON Semiconductor
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TO-252-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 60 V
Id-连续漏极电流: 12 A
Rds On-漏源导通电阻: 104 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: 15 V
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 175 C
Pd-功率耗散: 48 W
配置: Single
通道模式: Enhancement
封装: Tube
高度: 2.38 mm
长度: 6.73 mm
其他
ON
NTD3055L104G
TO252
5
06+
否
汽车电子,网络通信,安防设备
5