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产品属性
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制造商编号: NTJS4151PT1G
制造商: ON Semiconductor
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SC-88-6
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: P-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 20 V
Id-连续漏极电流: 3.3 A
Rds On-漏源导通电阻: 205 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: 12 V
Vgs th-栅源极阈值电压: - 1.2 V
Qg-栅极电荷: 10 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 1 W
配置: Single
通道模式: Enhancement
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
封装: Reel
高度: 0.9 mm
长度: 2 mm
一、稳压特性:1、所加的反向电压小于击穿电压时,稳压管有极大的内阻;2、超过反向击穿电压时,电流急剧增大,电流能在很大范围内变化,但管子两端的电压基本不变。3、正向部分与普通二极管相同
其他
ON
NTJS4151PT1G
SOT363
5
07+
否
汽车电子,网络通信,安防设备,测量仪器
5