双极晶体管BC848BWT1G量大从优

NPN 晶体管由在基极偏置的正电流驱动（或打开），以控制从集电极到发射极的电流。PNP 型晶体管由在基极偏置的负电流驱动，以控制从发射极到集电极的电流。（注意，PNP 极性与 NPN 相反。）

制造商编号：BC848BWT1G

制造商: ON Semiconductor

产品种类: 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: SC-70-3

晶体管极性: NPN

配置: Single

集电极—发射极最大电压 VCEO: 30 V

集电极—基极电压 VCBO: 30 V

发射极 - 基极电压 VEBO: 5 V

集电极—射极饱和电压: 0.6 V

最大直流电集电极电流: 0.1 A

Pd-功率耗散: 150 mW

增益带宽产品fT: 100 MHz

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 150 C

高度: 0.85 mm  

长度: 2.1 mm  

技术: Si  

宽度: 1.24 mm