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肖特基二极管 （Schottky Barrier Diode）    它是具有肖特基特性的"金属半导体结"的二极管。其正向起始电压较低。其金属层除材料外，还可以采用金、钼、镍、钛等材料。其半导体材料采用硅或砷化镓，多为N型半导体。这种器件是由多数载流子导电的，所以，其反向饱和电流较以少数载流子导电的PN结大得多。由于肖特基二极管中少数载流子的存贮效应甚微，所以其频率响仅为RC时间常数限制，因而，它是高频和快速开关的理想器件。其工作频率可达100gHz。并且，MIS（金属－绝缘体－半导体）肖特基二极管可以用来制作太阳能电池或发光二极管。    可作为续流二极管，在开关电源的电感中和继电器等感性负载中起续流作用。

瞬态抑制二极管的反应速度快，用与消除干扰的脉冲尖峰；压敏电阻，其最大特点是当加在它上面的电压低于它的阀值"UN"时，流过它的电流极小，相当于一只关死的阀门，当电压超过UN时，流过它的电流激增，相当于阀门打开。利用这一功能，可以抑制电路中经常出现的异常过电压，保护电路免受过电压的损害；稳压二极管反向电压到一定程度就会击穿，是的电压稳定不变，用于稳压瞬间抑制二极管(T.V.S )和稳压二极管(等於 ZENER=齐纳二极管) 都是电压保护元器用T.V.S适用於瞬间 偶发生的超高压 大电流保护  例如 雷击防护用  手机 通讯器材而ZENER DIODE是应用於较低电压 小电流的保护用 例如电闸开关  电源转换器。