晶体管/MOSFET/BSC117N08NS5原装现货

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数据列表BSC117N08NS5;

标准包装  5,000包装  标准卷带 零件状态在售类别分立半导体产品产品族晶体管 - FET,MOSFET - 单系列OptiMOS™

规格FET 类型N 沟道技术MOSFET(金属氧化物)漏源电压(Vdss)80V电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)49A(Tc)驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)6V,10V不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)11.7 毫欧 @ 25A,10V不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)3.8V @ 22μA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)18nC @ 10VVgs(最大值)±20V不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)1300pF @ 40VFET 功能-功率耗散(最大值)2.5W(Ta),50W(Tc)工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)安装类型表面贴装供应商器件封装PG-TDSON-8封装/外壳8-PowerTDFN

型号/规格

BSC117N08NS5

品牌/商标

INFINEON(英飞凌)

封装形式

PG-TDSON-8

环保类别

无铅环保型

安装方式

贴片式

包装方式

卷带编带包装

功率特征

超大功率