MOSFET TSM220NB06LCR

制造商: Taiwan Semiconductor

产品种类: MOSFET

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: PDFN56-8

通道数量: 1 Channel

晶体管极性: N-Channel

Vds-漏源极击穿电压: 60 V

Id-连续漏极电流: 35 A

Rds On-漏源导通电阻: 22 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压: 1 V

Vgs - 栅极-源极电压: 20 V

Qg-栅极电荷: 23 nC

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 175 C

Pd-功率耗散: 68 W

配置: Single

通道模式: Enhancement

系列: TSM  

晶体管类型: Single N-Channel Power MOSFET  

商标: Taiwan Semiconductor  

正向跨导 - 最小值: 36 S  

下降时间: 18 ns  

产品类型: MOSFET  

上升时间: 19 ns  

工厂包装数量: 2500  

子类别: MOSFETs  

典型关闭延迟时间: 14 ns  

典型接通延迟时间: 1 ns