供应晶体SI4401BDY-T1-E3

制造商:  Vishay   
 
产品种类:  MOSFET   
 
RoHS:   详细信息  
 
商标:  Vishay / Siliconix  
 
晶体管极性:  P-Channel   
 
Vds-漏源极击穿电压:  - 40 V   
 
Vgs-栅源极击穿电压 :  20 V   
 
Id-连续漏极电流:  8.7 A   
 
Rds On-漏源导通电阻:  14 mOhms   
 
配置:  Single   
 
最大工作温度:  + 150 C   
 
Pd-功率耗散:  1.5 W   
 
安装风格:  SMD/SMT   
 
封装 / 箱体:  SOIC-8 Narrow   
 
封装:  Reel   
 
通道模式:  Enhancement  
 
下降时间:  15 ns  
 
最小工作温度:  - 55 C  
 
上升时间:  15 ns  
 
工厂包装数量:  2500  
 
商标名:  TrenchFET  
 
典型关闭延迟时间:  97 ns  
 
零件号别名:  SI4401BDY-E3