供应晶体管 >PSMN165-200K

制造商:  NXP   
 
产品种类:  MOSFET   
 
RoHS:   详细信息  
 
商标:  NXP Semiconductors  
 
晶体管极性:  N-Channel   
 
Vds-漏源极击穿电压:  200 V   
 
Vgs-栅源极击穿电压 :  20 V   
 
Id-连续漏极电流:  2.9 A   
 
Rds On-漏源导通电阻:  165 mOhms   
 
配置:  Single Quad Drain Triple Source   
 
最大工作温度:  + 150 C   
 
Pd-功率耗散:  3.5 W   
 
安装风格:  SMD/SMT   
 
封装 / 箱体:  SO-8   
 
封装:  Reel   
 
通道模式:  Enhancement  
 
下降时间:  25 ns  
 
最小工作温度:  - 55 C  
 
上升时间:  11 ns  
 
工厂包装数量:  2500  
 
典型关闭延迟时间:  50 ns  
 
零件号别名:  /T3 PSMN165-200K