精确控制离子束流
精确控制加速电压
占地小
操作简单
运行成本低
自维护
特别适合于研发应用
适用于4”~6”晶片，最小可用于1*1cm2样品（室温）
4”热注入模式，最高温度可达600度
2个带有蒸发器的Freeman离子源，可使温度达750度
1个Bernas离子源
非凡的铝注入能力
一个主气箱，配有4个活性气体管路；一个副气箱，配有4个中性气体管路
高价样品注入能力
注入角0~15度
IBS特有的矢量扫描系统
手动装载/卸载用于标准注入和热注入，自动25片cassette 装载用于标准腔室
远程操作控制接触屏（5米链接线缆）
辐射低于0.6usv/hour
工艺性能
2~210keV
束流：4”晶片100keV时，大于900uA (As, P), 大于450uA (B)
剂量范围：1*1011*1018~at/cm2
片内非均匀性：1s
<=1%(带有1000埃氧化层的4寸硅，注B，100kev，1*1014at/cm2
片间均匀性：1s ≤ 1 %
