STM32F429VIT6TR

STM32F429VIT6TR交流地与信号地不能共用。由于在一段电源地线的两点间会有数 mV 甚至几 V 电压，对低电平信号电路来说，这是一个非常重要的干扰，因此必须加以隔离和防止。浮地与接地的比较。全机浮空即系统各个部分与大地浮置起来，这种方法简单，但整个系统与大地绝缘电阻不能小于 50MΩ 。这种方法具有一定的抗干扰能力，但一旦绝缘下降就会带来干扰。还有一种方法，就是将机壳接地，其余部分浮空。这种方法抗干扰能力强，安全可靠，但实现起来比较复杂。模拟地。模拟地的接法十分重要。为了提高抗共模干扰能力，对于模拟信号可采用屏蔽浮技术。对于具体模拟量信号的接地处理要严格按照操作手册上的要求设计。（原则上是电流形成回路面积zui小）


基于ARM® Cortex®-M4内核，采用了意法半导体的NVM工艺和ART Accelerator™，在高达84 MHz的工作频率下通过闪存执行时其处理性能达到225 DMIPS/608 CoreMark，这是迄今所有基于Cortex-M内核的微控制器产品所达到的zui高基准测试分数。

STM32F429VIT6TR由于采用了动态功耗调整功能，通过闪存执行指令时的电流消耗大大降低。

属于STM32F4系列的入门级微控制器，是尺寸zui小、成本zui低的解决方案，具有卓越的动态功耗效率。

STM32F429VIT6TR带DSP和FPU，具有2 MB Flash、180 MHz CPU和ART加速器。

具有高集成度，适合用于消费、工业和家电领域等各种应用，并可用于物联网 (IoT) 解决方案。


STM32F429VIT6TR参数
料号 STM32F429VIT6TR
特性 带DSP和FPU的高性能gao级系列ARM Cortex-M4 MCU，具有2 MB Flash、180 MHz CPU、ART加速器、Chrom-ART加速器、FSMC和TFT
状态 Active
封装 LQFP 100 14x14x1.4 mm
内核 Arm Cortex-M4
操作频率(MHz) 180
程序存储器大小 (kB) 2048
双组闪存 true
数据RAM大小(kB) 256
计时器(16-bit) 12
计时器 (32-bit) 2
其他计时器功能 Dual Watchdog,RTC,SysTick
12bit ADC分辨率 ADC转换器数量 3
通道数量 16
D/A转换器 2
输入/输出端数量 82
显示控制器 LCD TFT Controller
CAN接口数量 2
I2C接口数量 3
SPI接口数量 4
I2S接口数量 2
USART接口数量 4
UART接口数量 4
存储器扩展接口 FMC
USB类型 USB OTG FS + USB OTG FS/HS
加密技术 -
TRNG -
电源电压 (V) min 1.8
电源电压(V) max 3.6
静态电流 (μA) (@ Lowest Power) 1.7
工作电流 (μA) (Run Mode (per MHz)) 208
工作温度(°C) min -40
工作温度 (°C) max 85

XQV2000E-6FG1156N
XQV300-4BG352
XQV300-4CPQ240
XQV300-4CBG432
XQV300-4CB228Q
XQV300-4CB228
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XQV300-4PQ240N

STM32F429VIT6TR
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XQVR600-4CB228
XQVR600-4CB228M
XC17S300AVQ44C

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